Demostrador láser de estado sólido bombeado por díodos LPT-7

Descrición curta:

O LPT-7 está deseñado para o ensino de experimentos ópticos non lineais en facultades e universidades. Pode axudar aos estudantes a comprender a teoría do estado sólido bombeado por díodos (DPSS) e a tecnoloxía de duplicación de frecuencia láser. Un láser de estado sólido: o cristal YVO4 como material de ganancia, que está composto por un láser semicondutor cunha lonxitude de onda de bombeo de 808 nm e emisión a 1,064 M. A través do cristal KTP como xeración verde de duplicación de frecuencia intracavidade do láser, é posible observar o fenómeno e a frecuencia de medición, a eficiencia de duplicación de frecuencia, o ángulo de fase e outros parámetros básicos.

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Especificacións

Láser semicondutor
Potencia de saída en onda continua	≤ 500 mW
Polarización	TE
Lonxitude de onda central	808 ± 10 nm
Rango de temperatura de funcionamento	10 ~ 40 °C
corrente de condución	0 ~ 500 mA
Nd: YVO₄Cristal
Concentración de dopaxe Nd	0,1 ~ 3 atmósferas %
Dimensión	3×3×1 milímetro
Planitude	< λ/10 a 632,8 nm
Revestimento	AR a 1064 nm, R<0,1%; 808=”" t=”">90%
Cristal KTP
Rango de lonxitude de onda transmisiva	0,35 ~ 4,5 µm
Coeficiente electroóptico	r₃₃=36 pm/V
Dimensión	2×2×5 mm
Espello de saída
Diámetro	Φ 6 mm
Radio de curvatura	50 milímetros
Láser de aliñamento He-Ne	≤ 1 mW a 632,8 nm
Tarxeta de visualización IR	Rango de resposta espectral: 0,7 ~ 1,6 µm
Lentes de seguridade láser	DO = 4+ para 808 nm e 1064 nm
Medidor de potencia óptica	2 μW ~ 200 mW, 6 escalas

LISTA DE PEZAS

Non.	Descrición	Parámetro	Cantidade
1	Carril óptico	con base e cuberta contra o po, a fonte de alimentación do láser He-Ne está instalada dentro da base	1
2	Soporte láser He-Ne	con transportista	1
3	Abertura de aliñamento	orificio de f1 mm con soporte	1
4	Filtro	apertura f10 mm con portador	1
5	Espello de saída	BK7, f6 mm R =50 mm con soporte e portador axustables en 4 eixes	1
6	Cristal KTP	2×2×5 mm con soporte e portador axustables en 2 eixes	1
7	Nd:YVO₄Cristal	3×3×1 mm con soporte e portador axustables en 2 eixes	1
8	808 nm LD (díodo láser)	≤ 500 mW con soporte e portador axustables en 4 eixes	1
9	Soporte para a cabeza do detector	con transportista	1
10	Tarxeta de visualización por infravermellos	750 ~1600 nm	1
11	Tubo láser He-Ne	1.5mW@632.8 nm	1
12	Medidor de potencia óptica	2 μW～200 mW (6 rangos)	1
13	Cabeza do detector	con portada e poste	1
14	Controlador de corrente LD	0 ~ 500 mA	1
15	Cable de alimentación		3
16	Manual de instrucións	V1.0	1