Aparello experimental LEEM-8 de efecto magnetoresistivo

Nota: osciloscopio non incluído

O dispositivo é de estrutura sinxela e rico en contido. Utiliza dous tipos de sensores: o sensor GaAs Hall para medir a intensidade da indución magnética e estudar a resistencia do sensor de magnetoresistencia InSb baixo diferente intensidade de indución magnética. Os estudantes poden observar o efecto Hall e o efecto magnetoresistencia dos semicondutores, que se caracterizan por experimentos de investigación e deseño.

Experimentos

1. Estuda o cambio de resistencia dun sensor InSb fronte á intensidade do campo magnético aplicado; atopar a fórmula empírica.

2. Representar a resistencia do sensor InSb fronte á intensidade do campo magnético.

3. Estuda as características de CA dun sensor InSb baixo un campo magnético débil (efecto de duplicación de frecuencia).

Especificacións